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Kingston KVR16S11S8/4 Memoria RAM 4 GB DDR3 1600 MHz

KVR16S11S8/4
ValueRAM 4GB DDR3-1600, 4 GB, 1 x 4 GB, DDR3, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM
Disponibile
Kingston Technology è il leader mondiale nel settore delle memorie indipendenti ed è nota per i suoi prodotti di memoria di alta qualità a prezzi competitivi. La linea di memorie Kingston ValueRAM è ideale per aumentare al massimo le prestazioni e la produttività del vostro sistema. Realizzati esclusivamente con componenti di prima qualità, i moduli di memoria Kingston ValueRAM sono forniti con garanzia a vita.
Tipo di memoria tampone
Unregistered (unbuffered)
Configurazione moduli
512M X 64
Componente per
Computer portatile
Classifica di memoria
1
Tempo di ciclo refresh
260 ns
RAM installata
4096 MB
Struttura memoria
1 x 4096 MB
Altezza
30 mm
Velocità memoria
1600 MHz
Organizzazione delle memorie
X8
Indicazione errore
No
Layout di memoria (moduli x dimensione)
1 x 4 GB
Placcato piombo
Oro
Intervallo di temperatura
-55 - 100 °C
Latenza CAS
11
Tempo di ciclo
48,125 ns
Data Integrity Check (verifica integrità dati)
No
Voltaggio della memoria
1.5 V
Larghezza
67,6 mm
Tipo di RAM
DDR3
Tempo attivo
35 ns
Ampiezza dati
64 bit
Tipo di imballo
SO-DIMM
Fattore di forma memoria
204-pin SO-DIMM
Frequenza (bus clock rate)
1600 MHz
Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 85 °C
Dimensioni e peso
Larghezza 67,6 mm
Altezza 30 mm
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 85 °C
Intervallo di temperatura -55 - 100 °C
Dati su imballaggio
Tipo di imballo SO-DIMM
Altre caratteristiche
Organizzazione delle memorie X8
Frequenza (bus clock rate) 1600 MHz
Indicazione errore No
Struttura memoria 1 x 4096 MB
RAM installata 4096 MB
Caratteristiche
Tipo di RAM DDR3
Velocità memoria 1600 MHz
Componente per Computer portatile
Fattore di forma memoria 204-pin SO-DIMM
Layout di memoria (moduli x dimensione) 1 x 4 GB
Tipo di memoria tampone Unregistered (unbuffered)
Data Integrity Check (verifica integrità dati) No
Latenza CAS 11
Ampiezza dati 64 bit
Classifica di memoria 1
Voltaggio della memoria 1.5 V
Configurazione moduli 512M X 64
Tempo di ciclo 48,125 ns
Tempo di ciclo refresh 260 ns
Tempo attivo 35 ns
Placcato piombo Oro

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